| 主权项 |
1.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于在表面具有平滑面之预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序。2.如申请专利范围第1项之电路形成基板之制造方法,其中该预浸片系包含有一纤维片及一平滑之树脂层,该纤维片系业经浸渍含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方之树脂材料者,而该平滑树脂层系形成于该纤维片表面并与前述树脂材料为同一材料者。3.如申请专利范围第2项之电路形成基板之制造方法,其更具有一于前述纤维片浸渍前述树脂材料时形成前述树脂层之程序。4.如申请专利范围第2项之电路形成基板之制造方法,其中该树脂层之厚度系于1m至30m之范围内。5.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,该预浸片系包含有一业经浸渍含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方之树脂材料之纤维片;而,该纤维片之密度系于700-1000kg/m3之范围内。6.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,该预浸片系包含有一经浸渍含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方之树脂材料而成之纤维片;而,相较于前述纤维片表层附近之第1层之密度,该第1层以外之该纤维片之第2层之密度较低。7.如申请专利范围第6项之电路形成基板之制造方法,其中该第1层之密度系于700-1000kg/m3之范围内。8.如申请专利范围第6项之电路形成基板之制造方法,其中该第2层之密度系于500-700kg/m3之范围内。9.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,该预浸片系具有一包含热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方之纤维片;而,该纤维片系包含有密度不同之第1层与第2层。10.如申请专利范围第9项之电路形成基板之制造方法,其中该第1层之密度系于700-1000kg/m3之范围内,且该第2层之密度较该第1层之密度低。11.如申请专利范围第9项之电路形成基板之制造方法,其中该第2层之密度系于500-700kg/m3之范围内。12.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,该预浸片系包含有一经浸渍含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方之树脂材料而成之纤维片;而,相较于前述纤维片最外侧之第1层与第2层之密度,挟于前述第1层及第2层中之第3层的密度较低。13.如申请专利范围第12项之电路形成基板之制造方法,其中该第1层及第2层之密度系于700-1000kg/m3之范围内。14.如申请专利范围第12项之电路形成基板之制造方法,其中该第3层之密度系于500-700kg/m3之范围内。15.如申请专利范围第1、5、6、9或12项之电路形成基板之制造方法,其中该预浸片之表面粗度系最大高度在10m以下。16.如申请专利范围第1、5、6、9或12项之电路形成基板之制造方法,其中该导电糊系含有业已将球状导电性粒子加工成非球状之导电性粒子。17.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一以平滑化机构使预浸片之表面作成平滑状态之程序;一使脱模性膜贴合于前述预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,该预浸片系包含有一业经浸渍含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方之树脂材料之纤维片。18.如申请专利范围第17项之电路形成基板之制造方法,其中该平滑化机构系具有刃状之前端者。19.如申请专利范围第17项之电路形成基板之制造方法,其中该平滑化机构系具有滚筒状或平板状之形状者。20.如申请专利范围第18项之电路形成基板之制造方法,其更具有一将前述平滑化机构之温度设定在前述树脂材料之软化开始温度以上之程序。21.如申请专利范围第18项之电路形成基板之制造方法,其更具有一将前述预浸片之温度设定在前述树脂材料之软化开始温度以上之程序。22.如申请专利范围第5、6、9、12或17项之电路形成基板之制造方法,其中该预浸片系包含有一用以覆盖前述纤维片且厚度在1m至30m之范围内之平滑树脂层。23.如申请专利范围第18项之电路形成基板之制造方法,其中业经前述平滑化机构作成平滑状态之前述预浸片表面之表面粗度系最大高度在10m以下。24.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于前述预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,前述导电糊系含有导电性粒子,而该导电性粒子之粒子径,长径至少具有大于前述贴合脱模性膜之程序或前述开孔程序中产生于该脱模性膜与预浸片之界面上之空隙厚度方向之大小之直径。25.如申请专利范围第24项之电路形成基板之制造方法,其中该导电糊系含有业已将球状导电性粒子加工成非球状之导电性粒子。26.如申请专利范围第25项之电路形成基板之制造方法,其中该导电性粒子为扁平导电性粒子,系对前述球状导电性粒子进行施加机械性外力以使之变形之扁平化处理而形成者。27.如申请专利范围第24项之电路形成基板之制造方法,其中该导电性粒子之长径系较前述孔之孔径小。28.如申请专利范围第24项之电路形成基板之制造方法,其中该导电性粒子系以铜为主成分。29.如申请专利范围第24项之电路形成基板之制造方法,其中该预浸片系具有一包含树脂材料之纤维片,该树脂材料系包含热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。30.一种电路形成基板之制造方法,系包含有下列程序,即:一使脱模性膜贴合于预浸片上之程序;一于具有前述脱模性膜之前述预浸片上开设未贯通或贯通之孔之程序;一于前述孔中填充导电糊之程序;一剥离前述脱模性膜之程序;及一于前述预浸片上加热压接金属箔之程序;且,前述导电糊系包含有非球状之导电性粒子。31.如申请专利范围第30项之电路形成基板之制造方法,其中该导电糊系含有业已将球状导电性粒子加工成非球状之导电性粒子。32.如申请专利范围第31项之电路形成基板之制造方法,其中该导电性粒子为扁平导电性粒子,系对前述球状导电性粒子进行施加机械性外力以使之变形之扁平化处理而形成者。33.如申请专利范围第30项之电路形成基板之制造方法,其中该导电性粒子之长径系较前述孔之孔径小。34.如申请专利范围第30项之电路形成基板之制造方法,其中该导电性粒子系以铜为主成分。35.如申请专利范围第30项之电路形成基板之制造方法,其中该预浸片系具有一包含树脂材料之纤维片,该树脂材料系包含热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。36.如申请专利范围第1、5、6、9、12、17、24或30项之电路形成基板之制造方法,其更包含有一蚀刻前述金属箔而形成电路之程序。37.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,且于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,并使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;而,该电路形成基板系包含有:纤维片,系包含于前述预浸片内者;树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者;及树脂层,系由与前述树脂材料相同之材料构成,并于前述纤维片上形成平滑状态者。38.如申请专利范围第37项之电路形成基板,其中该树脂层系于前述纤维片上浸渍前述树脂材料时形成者。39.如申请专利范围第37项之电路形成基板,其中该树脂层之厚度系于1m至30m之范围内。40.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,且于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,并使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;而,该电路形成基板系包含有:纤维片,系包含于前述预浸片中,且密度在700-1000kg/m3之范围内者;及树脂材料,系浸渍于前述纤维片且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。41.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,且于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,并使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;而,该电路形成基板系包含有:纤维片,系包含于前述预浸片中者;第1层,系包含于前述纤维片中并位于该纤维片之表层附近者;第2层,系包含于前述纤维片中且密度较前述第1层低者;及树脂材料,系浸渍于前述纤维片且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。42.如申请专利范围第41项之电路形成基板,其中该第1层之密度系于700-1000kg/m3之范围内。43.如申请专利范围第41项之电路形成基板,其中该第2层之密度系于500-700kg/m3之范围内。44.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,且于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,并使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;而,该电路形成基板系包含有:纤维片,系包含于前述预浸片中者;第1层,系包含于前述纤维片中者;第2层,系包含于前述纤维片中且密度与前述第1层不同者;及树脂材料,系浸渍于前述纤维片且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。45.如申请专利范围第44项之电路形成基板,其中该第1层之密度系于700-1000kg/m3之范围内,且前述第2层之密度较该第1层之密度低。46.如申请专利范围第44项之电路形成基板,其中该第2层之密度系于500-700kg/m3之范围内。47.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,且于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,并使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;而,该电路形成基板系包含有:纤维片,系包含于前述预浸片中者;第1层与第2层,系包含于前述纤维片中并位于该纤维片之最外侧者;第3层,系包含于前述纤维片内并狭于前述第1层与第2层中,且密度较前述第1层与第2层低者;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。48.如申请专利范围第47项之电路形成基板,其中前述第1层与第2层之密度系于700-1000kg/m3之范围内。49.如申请专利范围第47项之电路形成基板,其中该第3层之密度系于500-700kg/m3之范围内。50.如申请专利范围第37、40、41、44或47项之电路形成基板,其更具有一形成于前述纤维片之表面且厚度在1m至30m之范围内之平滑树脂层。51.如申请专利范围第37、40、41、44或47项之电路形成基板,其中该预浸片之表面粗度系最大高度在10m以下。52.如申请专利范围第37、40、41、44或47项之电路形成基板,其中该导电糊系含有业已将球状导电性粒子加工成非球状之导电性粒子。53.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,而于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,且使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;且,该电路形成基板并具有包含于前述导电糊中之导电性粒子,而该导电性粒子系具有一较使该脱模性膜贴合于该预浸片上时或形成前述孔时产生于该脱模性膜与该预浸片之界面中之空隙厚度方向大小为大之长径者。54.如申请专利范围第53项之电路形成基板,其中该导电性粒子系将球状导电性粒子加工成非球状而形成者。55.如申请专利范围第53项之电路形成基板,其中该导电性粒子系经施加机械性外力以使之变形之扁平化处理而形成之扁平导电性粒子。56.如申请专利范围第53项之电路形成基板,其中该导电性粒子之长径系较前述孔之直径小。57.如申请专利范围第53项之电路形成基板,其中该导电性粒子系以铜为主成分。58.如申请专利范围第37、40、41、44、47或53项之电路形成基板,其中该预浸片系包含有:纤维片;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。59.一种电路形成基板,系使脱模性膜贴合于预浸片上,并于具有该脱模性膜之该预浸片上形成未贯通或贯通之孔,且于前述孔中填充导电糊,再将前述脱模性膜剥离,并使金属箔加热压接于前述预浸片上而形成者;且,该电路形成基板并具有含于前述导电糊中之非球状之导电性粒子。60.如申请专利范围第59项之电路形成基板,其中该导电性粒子系将球状导电性粒子加工成非球状而形成者。61.如申请专利范围第59项之电路形成基板,其中该导电性粒子系经施加机械性外力以使之变形之扁平化处理而形成之扁平导电性粒子。62.如申请专利范围第59项之电路形成基板,其中该导电性粒子之长径系较前述孔之直径小。63.如申请专利范围第59项之电路形成基板,其中该导电性粒子系以铜为主成分。64.如申请专利范围第59项之电路形成基板,其中该预浸片系包含有:纤维片;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。65.如申请专利范围第37、40、41、44、47、53或59项之电路形成基板,其更包含有一蚀刻前述金属箔而形成之电路。66.一种电路形成基板用材料,包含有:纤维片;树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中,且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者;及树脂层,系以平滑状态形成于前述纤维片上,且以与前述树脂材料相同之材料构成者。67.如申请专利范围第66项之电路形成基板用材料,其中该树脂层系于前述纤维片上浸渍前述树脂材料时形成者。68.如申请专利范围第66项之电路形成基板用材料,其中该树脂层之厚度系于1m至30m之范围内。69.一种电路形成基板用材料,包含有:纤维片,系密度在700-1000kg/m3之范围内者;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中,且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。70.一种电路形成基板用材料,包含有:纤维片;第1层,系包含于前述纤维片中且位于该纤维片之表层附近者;第2层,系包含于前述纤维片中且密度较该第1层低者.;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中,且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。71.如申请专利范围第70项之电路形成基板用材料,其中该第1层之密度系于700-1000kg/m3之范围内。72.如申请专利范围第70项之电路形成基板用材料,其中该第2层之密度系于500-700kg/m3之范围内。73.一种电路形成基板用材料,包含有:纤维片;第1层,系包含于前述纤维片中者;第2层,系包含于前述纤维片中且密度与该第1层不同者;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中,且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。74.如申请专利范围第73项之电路形成基板用材料,其中该第1层之密度系于700-1000kg/m3之范围内,且该第2层之密度较该第1层低。75.如申请专利范围第73项之电路形成基板用材料,其中该第2层之密度系于500-700kg/m3之范围内。76.一种电路形成基板用材料,包含有:纤维片;第1层与第2层,系包含于前述纤维片中且位于该纤维片之最外侧者;第3层,系包含于前述纤维片内并挟于前述第1层与第2层中,且密度较前述第1层与第2层低者;及树脂材料,系业已浸渍于前述纤维片中,且含有热塑性树脂与含未固化成分之热固性树脂中至少一方者。77.如申请专利范围第76项之电路形成基板用材料,其中前述第1层与第2层之密度系于700-1000kg/m3之范围内。78.如申请专利范围第76项之电路形成基板用材料,其中该第3层之密度系于500-700kg/m3之范围内。79.如申请专利范围第66、70、73或76之电路形成基板用材料,其更具有一形成于前述纤维片上且厚度在1m至30m之平滑树脂层。80.如申请专利范围第66、70、73或76项之电路形成基板用材料,其中该预浸片之表面粗度系最大高度在10m以下。图式简单说明:第1A图所示者系本发明之第1实施型态中预浸片之构造平面图,第1B图系第1A图之预浸片之1B-1B线视之截面图。第2图所示者系本发明之第3实施型态中不织布之构造截面图。第3图所示者系本发明之第4实施型态中电路形成基板之制造程序之部分截面图。第4A图-第4F图所示者系本发明之第1实施型态中电路形成基板之制造方法之截面图。第5A图-第5F图所示者系习知之电路形成基板之制造方法之截面图。第6A图所示者系习知之预浸片之构造平面图,第6B图系第6A图之预浸片之6B-6B线视之截面图。第7A图-第7C图所示者系习知之电路形成基板之制造方法之部分截面图。 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