GaN为基础之氮化物层的制造方法

摘要

本发明系有关以氮化镓(GaN)为基础之氮化物层的制造方法，该方法包括于基板上面形成碳化矽缓冲层之步骤，于上述碳化矽缓冲层上形成用In(x1)Ga(y1)N(0

主权项

1.一种以GaN为基础之氮化物层的制造方法,系包括:于蓝宝石基板上形成厚度为5埃至200埃的非单晶碳化矽缓冲层之第一步骤;于该碳化矽缓冲层上形成用In(x1)Ga(y1)N(0≦x1≦1,0≦y1<1,x1+y1=1)组成的湿润层之第二步骤;以及于该湿润层上形成包括镓和氮成分的氮化物层之第三步骤。2.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,在该第一步骤中,系使用CBr4或CxHy(x,y为整数)中之至少一者作为碳的前驱物。3.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该碳化矽缓冲层的成长温度(T)系于600℃≦T≦900℃之范围内。4.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该湿润层系用单层构成。5.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该湿润层系以两层或两层以上的组合构成。6.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该湿润层的成长温度系于400℃至900℃之范围内。7.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该湿润层的厚度系为100埃至500埃。8.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,在该第二步骤中,该V/III族比率系于1至5000之范围内,且系低于会导致氮化物层上发生凸出物(hillock)的V/III族比率。9.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该氮化物层系用两层或两层以上的组合构成。10.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,该氮化物层的成长温度系于800℃至1200℃之范围内。11.如申请专利范围第1项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,其中,在该第三步骤中,V/III族比率系为500至20,000。12.一种于基板上制造以GaN为基础之氮化物层的制造方法,系包括:于成长该以GaN为基础之氮化物层之前,先于该基板上形成非单晶碳化矽缓冲层的步骤。13.如申请专利范围第12项之以GaN为基础之氮化物层的制造方法,复包括:于成长该以GaN为基础之氮化物层之前,先于该非单晶碳化矽缓冲层上面形成该用In(x1)Ga(y1)N(0≦x1≦1,0≦y1<1,x1+y1=1)组成之湿润层的步骤。14.一种以GaN为基础之氮化物层的制造方法,系包括:在基板上形成碳化矽缓冲层的第一步骤;在第一温度下,于该碳化矽缓冲层上形成用In(x1)Ga(y1)N(0