| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为:使用单片式装置在半导体晶圆上实施包含昇温过程、将最后特定温度保持特定时间之主要处理过程及降温过程之热处理;且在前述半导体晶圆之温度相对较低之前述昇温过程中,进行开环控制,而在前述半导体晶圆之温度相对较高之前述昇温过程及前述主要处理过程中,进行闭环控制;在进行前述开环控制过程中,系以相对较低转数使前述半导体晶圆旋转,在进行闭环控制过程中,系以相对较高转数使前述半导体晶圆旋转。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在进行前述开环控制过程中,系以一定之第一转数使前述半导体晶圆旋转,在进行前述闭环控制过程中,系以与前述第一转数不同之一定之第二转数使前述半导体晶圆旋转。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为200mm以下时,进行前述开环控制过程中之前述半导体晶圆之转数为100rpm以下,进行前述闭环控制过程中之前述半导体晶圆之转数为150~250rpm。4.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为300mm以上时,进行前述开环控制过程中之前述半导体晶圆之转数为100rpm以下,进行前述闭环控制过程中之前述半导体晶圆之转数为200~300rpm。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在进行前述开环控制过程中,系以一定之转数使前述半导体晶圆旋转,在进行前述闭环控制之过程中,系逐渐提高转数来使前述半导体晶圆旋转。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在进行前述开环控制过程中,系逐渐提高转数来使前述半导体晶圆旋转,在进行前述闭环控制之过程中,系以一定之转数使前述半导体晶圆旋转。7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在进行前述开环控制过程及进行前述闭环控制过程中,系分别逐渐提高转数来使前述半导体晶圆旋转。8.一种半导体装置之制造方法,其特征为:使用单片方式装置在半导体晶圆上实施包含昇温过程、将最后特定温度保持特定时间之主要处理过程及降温过程之热处理;且在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系以相对较低转数使前述半导体晶圆旋转,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系以相对较高转数使前述半导体晶圆旋转。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系以一定之第一转数使前述半导体晶圆旋转,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系以与前述第一转数不同之一定之第二转数使前述半导体晶圆旋转。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为200mm以下时,在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中之前述半导体晶圆之转数为100rpm以下,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中之前述半导体晶圆之转数为150~250rpm。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为300mm以上时,在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中之前述半导体晶圆之转数为100rpm以下,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中之前述半导体晶圆之转数为200~300rpm。12.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系以一定之转数使前述半导体晶圆旋转,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系逐渐提高转数来使前述半导体晶圆旋转。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为300mm以上时,在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系以100rpm以下之一定转数使前述半导体晶圆旋转,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系自100rpm以下至200~300rpm逐渐提高转数来使前述半导体晶圆旋转。14.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系逐渐提高转数使前述半导体晶圆旋转,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系以一定之转数来使前述半导体晶圆旋转。15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为300mm以上时,在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系以100rpm以下逐渐提高转数使前述半导体晶圆旋转,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系以200~300rpm间之一定转数来使前述半导体晶圆旋转。16.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程及在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系逐渐提高转数使前述半导体晶圆旋转。17.如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶圆之直径为300mm以上时,在前述半导体晶圆之温度为500℃以下之前述昇温过程中,系逐渐提高至100rpm以下之转数,在前述半导体晶圆之温度超过500℃之前述昇温过程及前述主要处理过程中,系自100rpm以下至200~300rpm逐渐提高转数来使前述半导体晶圆旋转。图式简单说明:图1系显示使用本发明第一种实施形态之单片式RTP装置之热处理过程之步骤图。图2系显示使用本发明第一种实施形态之单片式RTP装置之热处理时之半导体晶圆之温度及转数随时间变化图。图3(a)~(c)系显示使用本发明第一种实施形态之单片式RTP装置之热处理昇温过程及主要处理过程中半导体晶圆翘曲之模式图。图4系依步骤顺序显示本发明第一种实施形态之CMOS装置一种制造方法之半导体基板之重要部分剖面图。图5系依步骤顺序显示本发明第一种实施形态之CMOS装置一种制造方法之半导体基板之重要部分剖面图。图6系依步骤顺序显示本发明第一种实施形态之CMOS装置一种制造方法之半导体基板之重要部分剖面图。图7系依步骤顺序显示本发明第一种实施形态之CMOS装置一种制造方法之半导体基板之重要部分剖面图。图8系依步骤顺序显示本发明第一种实施形态之CMOS装置一种制造方法之半导体基板之重要部分剖面图。图9系显示使用本发明第二种实施形态之单片式RTP装置之热处理过程之步骤图。图10系显示使用本发明第二种实施形态之单片式RTP装置之热处理时之半导体晶圆之温度及转数随时间变化图。图11系显示使用本发明第三种实施形态之单片式RTP装置之热处理过程之步骤图。图12系显示使用本发明第三种实施形态之单片式RTP装置之热处理时之半导体晶圆之温度及转数随时间变化图。图13系显示使用本发明第四种实施形态之单片式RTP装置之热处理过程之步骤图。图14系显示使用本发明第四种实施形态之单片式RTP装置之热处理时之半导体晶圆之温度及转数随时间变化图。 |
