| 主权项 |
1.一种用于补偿回火非均一性的方法,包含在一图案中之于该回火非均一性所产生较低的电活化渗杂剂浓度之处,植入渗杂剂以提供较高的渗杂剂浓度。2.如申请专利范围第1项的方法,包含决定用于该回火非均一性的图案。3.如申请专利范围第2项的方法,其中决定用于该回火非均一性的图案包含:回火一个具有均匀渗杂剂分布的样本晶圆;和在回火之后测量该样本晶圆的性质。4.如申请专利范围第3项的方法,其中测量性质包含测量片电阻。5.如申请专利范围第2项的方法,其中决定用于该回火非均一性的图案包含:在回火期间测量温度变化。6.如申请专利范围第1项的方法,其中在一图案中植入渗杂剂包含,调整至少一个遍及被使用于晶圆中植入该渗杂剂之光束的光束电流密度,以及该晶圆通过该光束的通过角度。7.如申请专利范围第6项的方法,包含:回火一个具有均匀渗杂剂分布的样本晶圆;和在回火之后测量该样本晶圆的性质,以决定用于该回火非均一性的图案。8.如申请专利范围第7项的方法,其中测量性质包含测量片电阻。9.一种电脑可读的媒体,其包含用于控制该晶圆布植机之指令,以藉由该晶圆布植机将渗杂剂植入在晶圆上之图案中,以在该回火非均一性产生较低的电活化渗杂剂浓度之处提供较高的渗杂剂浓度。10.如申请专利范围第9项的电脑可读的媒体,包含用于控制该晶圆布植机之指令,以决定用于该回火非均一性的图案。11.如申请专利范围第10项的电脑可读的媒体,包含用于控制该晶圆布植机之指令,以藉由下列各项决定用于该回火非均一性的图案:控制该晶圆布植机回火具有均匀的渗杂剂浓度分布之样本晶圆;和在回火后控制该晶圆布植机测量该样本晶圆的性质。12.如申请专利范围第10项的电脑可读的媒体,包含用于控制该晶圆布植机之指令,以藉由控制该晶圆布植机测量片电阻而测量该样本晶圆性质。13.如申请专利范围第10项的电脑可读的媒体,包含用于控制该晶圆布植机之指令,以藉由控制该晶圆布植机测量在回火期间之温度改变,而决定用于该回火非均一性的图案。14.如申请专利范围第9项的电脑可读的媒体,包含用于控制该晶圆布植机之指令,以藉由控制该晶圆布植机调整至少一个遍及被使用于晶圆中植入该渗杂剂之光束的光束电流密度,和该晶圆通过该光束的通过角度,而在图案中植入渗杂剂。15.一种用于在晶圆布植机中补偿回火非均一性的系统,包含:一感应器,以决定并输出回火非均一性资料;一处理器,收集由该感应器而来之回火非均一性资料,并设计在该回火非均一性资料显示有较低活化渗杂剂浓度处提供较高的渗杂剂浓度之植入图案;一控制器,以控制该晶圆布植机在该植入图案中植入渗杂剂。16.如申请专利范围第15项的系统,其中该感应器测量片电阻。17.如申请专利范围第15项的系统,其中该感应器是在回火期间测量温度变化的一温度感应器。18.如申请专利范围第15项的系统,其中该控制器包含:一光束电流密度控制器,以改变遍及被使用在该晶圆中植入该渗杂剂的光束之该光束电流密度,和一通过角度控制器,以改变该晶圆通过该光束的通过角度。图式简单说明:第1图显示用于布植一晶圆之非均一性光束轮廓的示意图;第2图显示在第1图之光束首次通过之后,在晶圆上渗杂剂分布的示意图;第3图显示由该首次通过位置旋转90,在第1图之光束的第二次通过之后,在晶圆上渗杂剂分布的示意图;第4图显示在回火后,该电活化的渗杂剂分布的示意图;第5图可能为用于补偿回火非均一性的方法的一个流程图;第6图可以显示用于进行第5图的方法之系统的示意图;和第7图显示在均匀植入渗杂剂分布的回火之后,在晶圆上电活化的渗杂剂分布的示意图。 |
