| 主权项 |
1.一种沟槽结构之形成方法,该方法至少包括:形成一垫氧化层于一底材上;形成一第一多晶矽层于该垫氧化层上;形成一氧化层于该第一多晶矽层上;形成一第二多晶矽层于该氧化层上;移除部份该第二多晶矽层、该氧化层、该第一多晶矽层与该垫氧化层以暴露出部份该底材;及蚀刻该第二多晶矽层与部份该底材以形成该沟槽结构于该底材中,并暴露出该氧化层。2.如申请专利范围第1项之方法,更包括形成一衬里层于该沟槽结构的一第一侧壁上。3.如申请专利范围第2项之方法,更包括形成一侧壁氧化层于该第一多晶矽层之一第二侧壁上。4.如申请专利范围第1项之方法,更包括:沈积一介电层于该氧化层上,并填入该沟槽结构中;平坦化该介电层与该氧化层;及移除该第一多晶矽层与该垫氧化层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之沈积步骤以高密度电浆化学气相沈积法形成。6.一种沟槽结构之形成方法,该方法至少包括:形成一垫氧化层于一矽底材上;形成一第一多晶矽层于该垫氧化层上;形成一氧化层于该第一多晶矽层上;形成一第二多晶矽层于该氧化层上;移除部份该第二多晶矽层、该氧化层、该第一多晶矽层与该垫氧化层以暴露出部份该矽底材;蚀刻该第二多晶矽层与部份该矽底材以形成该沟槽结构于该矽底材中,并暴露出该氧化层;及同时形成一衬里层于该沟槽结构之一侧壁上与一侧壁氧化层于该第一多晶矽之一侧壁上,该侧壁氧化层用以保护该沟槽结构,以避免边角凹陷。7.如申请专利范围第6项之方法,更包括:填入一介电层于该沟槽结构中与该氧化层上;及平坦化该介电层与该氧化层。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之介电层至少包括一氧化矽层。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之介电层至少包括一多晶矽层。图式简单说明:第一A至第一F图为以本发明方法形成浅沟槽隔离元件的一连串剖面示意图。 |
