| 主权项 |
1.一种电容结构,系架构于一基板内,该电容结构包括:多数个电极组,相互对应并分别位于该基板的不同层之中,每一该些电极组包括:一第一电极;一第二电极,围绕该第一电极配置;至少一第一导电插塞,配置于两相邻电极组之间,且两相邻电极组内的该些第一电极系相互对应,并藉由该第一导电插塞而相互耦接;以及至少一第二导电插塞,配置于两相邻电极组之间,且两相邻电极组内的该些第二电极系相互对应,并藉由该第二导电插塞而相互耦接。2.如申请专利范围第1项所述之电容结构,其中每一该些第一电极系呈块状、条状或环状。3.如申请专利范围第1项所述之电容结构,其中每一该些第二电极系呈环状。4.如申请专利范围第1项所述之电容结构,其中每一该些电极组更包括一第三电极,且该些第三电极系分别围绕该些第二电极配置。5.如申请专利范围第4项所述之电容结构,其中每一该些第三电极系呈环状。6.如申请专利范围第1项所述之电容结构,其中该基板包括至少一介电层,其系配置于两相邻电极组之间,而该第一导电插塞与该第二导电插塞系位于该介电层内。7.一种电容结构,系架构于一基板内,该电容结构包括:多数个电极组,相互对应并分别位于该基板的不同层之中,每一该些电极组包括:多数个第一电极;多数个第二电极,系与该些第一电极相互交替而呈一矩阵排列;多数个第一导电插塞,配置于两相邻电极组之间,且两相邻电极组内的该些第一电极系相互对应,并分别藉由该些第一导电插塞而相互耦接;以及多数个第二导电插塞,配置于两相邻电极组之间,且两相邻电极组内的该些第二电极系相互对应,并分别藉由该些第二导电插塞而相互耦接。8.如申请专利范围第7项所述之电容结构,其中每一该些第一电极系呈块状。9.如申请专利范围第7项所述之电容结构,其中每一该些第二电极系呈块状。10如申请专利范围第7项所述之电容结构,其中该基板包括至少一介电层,其系配置于两相邻电极组之间,而该些第一导电插塞与该些第二导电插塞系位于该介电层内。11.如申请专利范围第7项所述之电容结构,其中该基板包括一第一电源层,且该些第一电极系耦接至该第一电源层。12.如申请专利范围第11项所述之电容结构,其中该基板更包括一第二电源层,且该些第二电极系耦接至该第二电源层。图式简单说明:图1绘示为习知之一种平行板电容结构的示意图。图2绘示为本发明之第一实施例之一种电容结构的立体示意图。图3绘示为本发明之第二实施例之一种电容结构的立体示意图。图4绘示为本发明之第三实施例之一种电容结构的立体示意图。图5绘示为本发明之第四实施例之一种电容结构的立体示意图。图6绘示为本发明之第五实施例之一种电容结构的立体示意图。 |
