| 主权项 |
1.一种触媒,其本质上由钯、银、铼以及一种选自铝、钴及其混合物之金属在碳撑体上所构成,其中触媒包含0.1至20重量%之钯,0.1至20重量%之银,0.1至20重量%之铼,及0.1至5重量%之一种选自铝、钴及其混合物之金属。2.如申请专利范围第1项之触媒,其中触媒包含2至4重量%之钯,2至4重量%之银,5至9重量%之铼,及0.2至0.6重量%之一种选自铝、钴及其混合物之金属。3.一种制造1,4-丁二醇之方法,包括催化地氢化接触含氢气体之可氢化先质,其选自包括顺丁烯二酸、顺丁烯二酸酐、反丁烯二酸、琥珀酸、琥珀酸酐、顺丁烯二酸酯、琥珀酸酯、-丁内酯及其混合物,且氢化触媒包含钯、银、铼以及一种选自铝、钴及其混合物之金属在碳撑体上,此触媒包含0.1至20重量%之钯,0.1至20重量%之银,0.1至20重量%之铼,及0.1至5重量%之一种选自铝、钴及其混合物之金属,且其中该方法在50℃至250℃之温度下实行,含氢气体压力为20至400大气压力,氢对可氢化先质为5比1至1000比1,及接触时间为0.1分钟至20小时。4.如申请专利范围第3项之方法,其中可氢化先质为选自顺丁烯二酸、琥珀酸、-丁内酯及其混合物。5.如申请专利范围第3项之方法,其中触媒包含2至4重量%之钯,2至4重量%之银,5至9重量%之铼,及0.2至0.6重量%之一种选自铝、钴及其混合物之金属。6.一种制造用于1,4-丁二醇制造之触媒之方法,包含:(i)藉由以氧化剂接触碳撑体而氧化碳撑体;(ii)在一或更多个浸渍步骤中浸渍,包括以钯、银、铼以及一种选自铝、钴及其混合物之金属之来源接触碳撑体;(iii)在各浸渍步骤后乾燥经浸渍之碳撑体以去除溶剂;及(iv)在还原条件下,将经浸渍之碳撑体由周温加热到100℃至350℃之温度。7.如申请专利范围第6项之方法,其中在以氧化剂接触碳撑体之大致相同时间下,以钯、银、铼以及一种选自铝、钴及其混合物之金属之来源浸渍碳撑体。8.如根据申请专利范围第6项之方法,其中氧化剂选自包括硝酸、过氧化氢、次氯酸钠、过硫酸铵、过氯酸及氧。9.如申请专利范围第6项之方法,其中在步骤(iv)之后,触媒与可氢化先质与氢接触,其中可氢化先质选自包括顺丁烯二酸、顺丁烯二酸酐、反丁烯二酸、琥珀酸、琥珀酸酐、琥珀酸二甲酯、-丁内酯及其混合物,而且由周温加热到50℃至250℃之温度。10.一种制造四氢喃与1,4-丁二醇之方法,其包含催化地氢化可氢化先质,包括选自顺丁烯二酸、顺丁烯二酸酐、反丁烯二酸、琥珀酸、琥珀酸酐、顺丁烯二酸酯、琥珀酸酯、-丁内酯及其混合物,与氢化触媒接触,触媒包含钯、银、铼以及一种选自铝、钴及其混合物之金属于碳撑体上,此触媒包含0.1至20重量%之钯,0.1至20重量%之银,0.1至20重量%之铼,及0.1至5重量%之一种选自铝、钴及其混合物之金属,其中触媒藉以下步骤制备:(i)藉由以氧化剂接触碳撑体而氧化碳撑体;(ii)在一或更多个浸渍步骤中浸渍,其包含以钯、银、铼以及选自铝、钴及其混合物之金属之来源接触碳撑体;(iii)在各浸渍步骤后乾燥经浸渍之碳撑体以去除溶剂;及(iv)在还原条件下,将经浸渍之碳撑体由周温加热到100℃至350℃之温度;且其中该方法在50℃至250℃之温度下实行,氢对可氢化先质之比例为5比1至1000比1,含氢气体压力为20至400大气压力,接触时间为0.1分钟至20小时。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中可氢化先质为选自顺丁烯二酸、琥珀酸、-丁内酯及其混合物。12.根据申请专利范围第10项之方法,其中触媒包含2至4重量%之钯,2至4重量%之银,5至9重量%之铼,及0.2至0.6重量%之一种选自铝、钴及其混合物之金属。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中氧化剂选自包括硝酸、过氧化氢、次氯酸钠、过硫酸铵、过氯酸及氧。 |
