| 主权项 |
1.一种将制造一半导体及/或平面显示器之一处理 室之清洁处理进行所需之氟化氢就地转变成氟清 洁气体的方法,该方法至少包括下列步骤: 在该处理室之远距位置将该氟化氢气体转变成氟 化氩气体及该就地产生之氟清洁气体的混合物; 传送该气体混合物至一冷凝收集器; 转变该氟化氢气体为一液体;及 从该氟气中分离出该液体氟化氢,该仍为气态之氟 清洁气体于是供作该清洁处理用。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氟清洁 气体在活化之后方使用之,用以形成氟反应性物质 而清洁该处理室,其中该氟反应性物质系形成于该 处理室内或该处理室外,接着送至该处理室中。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氟清洁 气体的活化步骤系藉由一电浆源、一热源或一电 源所执行。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该电浆源 为一微波能源或一射频能源。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该转变氟 化氢的步骤系籍由电解作用完成。 6.一种用于清洁半导体及/或平面显示器制造用之 处理室的方法,该方法至少包括下列步骤: 于该处理室之远距位置就地产生一氟清洁气体,该 产生步骤至少包含以下步骤: 转变氟化氢为一该氟化氢及该氟气构成之气体混 合物; 传送该气体混合物至一冷凝收集器;及 转变该氟化氢气体成为一液体; 从该冷收集器中移除该液体氟化氢,而该氟清洁气 体则仍处于气态;及 活化该氟清洁气体而形成氟原子团,藉以清洁该处 理室。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该氟清洁 气体在该活化步骤之前抽至一储存单元。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该氟清洁 气体被经活化而在该处理室中形成氟原子团,或其 中该氟清洁气体被活化而于该处理室外部形成氟 原子团,接着该氟清洁气体被送至该处理室。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该活化步 骤系藉由一电浆源、一热源或一电源所执行。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该电浆 源为一微波能源或一射频能源。 11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该转变 氟化氢的步骤系藉由电解作用完成。 图式简单说明: 第1图为根据本发明之一实施例的示意图。馈给气 体(例如氟化氢)系藉由低温冷凝作用而从清洁气 体(例如氟气)产生器中消除,然后在净化的清洁气 体到达PECVD处理室之前将净化的清洁气体传送至 一储存单元。 第2图为根据本发明之另一实施例的示意图。馈给 气体系藉由低温冷凝作用而从清洁气体产生器中 消除,以及将净化的清洁气体传送至一储存单元。 然后在清洁气体到达PECVD处理室之前使此清洁气 体活化。 |
