发明名称 光记录媒体
摘要 在具有支持基体以及较厚的光透过层的光记录媒体中,抑制根据因温度的急遽变化造成光透过层的伸缩的翘曲发生。光记录媒体10是在聚碳酸酯制的支持基体12上配设反射膜16、记录层20、由厚度100μm左右的丙稀系树脂构成的光透过层24、形成于与这些构件相反侧的支持基体12的表面的翘曲抑制层28而成,使因急遽的温度变化造成光透过层24的伸缩与翘曲抑制层28的伸缩相抵。
申请公布号 TWI241579 申请公布日期 2005.10.11
申请号 TW091117587 申请日期 2002.08.05
申请人 TDK股份有限公司 发明人 宇佐美守;小卷壮;平田秀树;丑田智树;田中敏文
分类号 G11B7/24;G11B7/26 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种光记录媒体,覆盖形成于支持基体的资讯记 录面,至少配设有光透过层,其特征为: 投入到60℃以上的环境60分钟以上后,取出至室温 的环境中,测定从开始的最初0-20分钟间,因急遽的 温度变化造成的光记录媒体的翘曲量的变化量为0 .4度以内。 2.如申请专利范围第1项所述之光记录媒体,其中对 该急遽的温度变化的光记录媒体的翘曲量的最大 变化量为0.2度/分以下。 3.如申请专利范围第1项所述之光记录媒体,其中光 透过层的厚度为20-150m。 4.如申请专利范围第2项所述之光记录媒体,其中光 透过层的厚度为20-150m。 5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所述之光 记录媒体,其中由该光透过层与该支持基体的线膨 胀率不同的材质构成。 6.如申请专利范围第1项或第2项所述之光记录媒体 ,其中该光透过层是由其线膨胀率比该支持基体还 大的材质构成。 7.如申请专利范围第5项所述之光记录媒体,其中该 光透过层是由其线膨胀率比该支持基体还大的材 质构成。 8.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所述之光 记录媒体,其中该光透过层是由能量线硬化型树脂 或热线硬化型树脂构成。 9.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所述之光 记录媒体,其中该支持基体是由聚碳酸酯或多烯烃 构成。 10.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所述之 光记录媒体,其中对该光记录媒体的温度变化的翘 曲量的变化为至少由30℃以上的温度差的环境取 出后,在60分钟以内的翘曲量的变化量。 11.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所述之 光记录媒体,其中在与该支持基体的至少该光透过 层相反侧的面实施翘曲抑制手段。 12.如申请专利范围第11项所述之光记录媒体,其中 该翘曲抑制手段是由配设于与该支持基体中的该 光透过层相反侧的面的翘曲抑制层构成,此翘曲抑 制层是由线膨胀率与厚度的积对该光透过层的线 膨胀率与厚度的积为0.3-1.7倍的材料构成。 13.如申请专利范围第11项所述之光记录媒体,其中 令该光透过层的材料与该翘曲抑制层的材料同一 。 14.如申请专利范围第12项所述之光记录媒体,其中 令该光透过层的材料与该翘曲抑制层的材料同一 。 15.如申请专利范围第11项所述之光记录媒体,其中 在该翘曲抑制层与该支持基体之间形成防湿层。 图式简单说明: 图1是模式地显示与本发明的实施形态的例子有关 的光记录媒体的层构成的略示剖面图。 图2是显示用以测定与同实施形态的例子有关的光 记录媒体的翘曲量的变化量的装置的略示剖面图 。 图3是显示与同实施形态的第二例子有关的光记录 媒体的图1一样的略示剖面图。 图4是显示与同实施形态的第二例子有关的翘曲抑 制层的图案的概略图。 图5是显示本发明的实施例与比较例的光记录媒体 中的放热时的翘曲量变化量的线图。
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