| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具有薄膜电晶体与导电层,具 备有: 基板; 包括形成于前述基板上之薄膜电晶体之p型之源极 及汲极区域,以及通道区域的多晶矽膜; 形成于前述基板上,藉由与多晶矽膜同一层所构成 之前述导电层;以及 形成于前述导电层上之电介体膜,而 前述通道区域之导电型为n型之磷浓度为1014至1016 atoms∕cm3, 前述电介体膜之n型之磷浓度为1014至1017atoms/cm3。 2.一种半导体装置,系具有薄膜电晶体与导电层,具 备有: 基板; 包括形成于前述基板上之薄膜电晶体之n型之源极 及汲极区域,以及通道区域的多晶矽膜; 形成于前述基板上,藉由与多晶矽膜同一层所构成 之前述导电层;以及 形成于前述导电层上之电介体膜,而 前述通道区域之导电型为n型之磷浓度为1014至1016 atoms∕cm3, 前述电介体膜之n型之磷浓度为1014至1017atoms/cm3。 3.一种液晶显示装置,系具有半导体装置,该半导体 装置具备: 基板; 包括形成于前述基板上之薄膜电晶体之p型之源极 及汲极区域,以及通道区域的多晶矽膜; 形成于前述基板上,藉由与多晶矽膜同一层所构成 之前述导电层;以及 形成于前述导电层上之电介体膜,而 前述通道区域之导电型为n型之磷浓度为1014至1016 atoms∕cm3, 前述电介体膜之n型之磷浓度为1014至1017atoms/cm3。 4.一种半导体装置之制造方法,系具有薄膜电晶体 与导电层,其具备有: 在基板上形成多晶矽膜的步骤; 在前述多晶矽膜上形成第一光阻膜的步骤; 使用前述第一光阻膜作为遮罩,并藉由蚀刻前述多 晶矽膜,形成作为前述薄膜电晶体之源极、汲极区 域以及通道区域的第一多晶矽膜与第二多晶矽膜 的步骤; 去除前述第一光阻膜的步骤; 在形成有前述第二多晶矽膜之区域以外的区域中, 至少在前述第一多晶矽膜上形成第二光阻膜的步 骤; 以将前述第二光阻膜作为遮罩,藉由对前述第二多 晶矽膜植入浓度为1014至1016atoms/cm3之磷以形成前 述导电层的步骤; 利用紫外线照射法或湿式蚀刻法以去除前述第二 光阻膜的步骤;以及 在形成前述导电层的步骤之后,在前述导电层上形 成电介体膜的步骤。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其中,前述第二光阻膜系包括下层部分与位于该下 层部分上的上层部分,而 用以去除前述第二光阻膜的步骤,系包括: 利用紫外线照射法以去除前述上层部分的步骤;以 及 利用湿式蚀刻法以去除前述下层部分的步骤。 6.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其系具备有: 在形成前述第二光阻膜的步骤之前,先在前述第一 多晶矽膜上形成保护膜的步骤;以及 在去除前述第二光阻膜的步骤之后再去除前述保 护膜的步骤,而 用以去除前述第二光阻膜的步骤,系在使前述保护 膜残存的状态下实施者。 7.一种液晶显示装置之制造方法,其系使用具有薄 膜电晶体与导电层之半导体装置的制造方法,该半 导体装置的制造方法具备: 在基板上形成多晶矽膜的步骤; 在前述多晶矽膜上形成第一光阻膜的步骤; 使用前述第一光阻膜作为遮罩,并藉由蚀刻前述多 晶矽膜,形成作为前述薄膜电晶体之源极、汲极区 域以及通道区域的第一多晶矽膜与第二多晶矽膜 的步骤; 去除前述第一光阻膜的步骤; 在形成有前述第二多晶矽膜之区域以外的区域中, 至少在前述第一多晶矽膜上形成第二光阻膜的步 骤; 以前述第二光阻膜作为遮罩,藉由对前述第二多晶 矽膜植入浓度为1014至1016atoms/cm3之磷以形成前述 导电层的步骤; 利用紫外线照射法或湿式蚀刻法以去除前述第二 光阻月莫的步骤;以及 在形成前述导电层的步骤之后,在前述导电层上形 成电介体膜的步骤。 8.一种半导体装置的制造方法,系具有薄膜电晶体 与导电层,其系具备有: 在基板上形成多晶矽膜的步骤; 在前述多晶矽膜形成第一光阻膜的步骤; 使用前述第一光阻膜作为遮罩,籍由蚀刻前述多晶 矽膜,以形成应成为前述薄膜电晶体之源极、汲极 区域以及通道区域的第一多晶矽膜与第二多晶矽 膜的步骤; 在前述第一多晶矽膜上形成保护膜的步骤; 在形成有前述第二多晶矽膜之区域以外的区域中, 至少在前述保护膜上形成第二光阻膜的步骤; 以前述第二光阻膜作为遮罩,藉由对前述第二多晶 矽膜植入浓度为1014至1016atoms/cm3之磷以形成前述 导电层的步骤; 在形成前述导电层的步骤之后,使前述保护膜残存 以去除前述第二光阻膜的步骤; 去除前述保护膜的步骤;以及 在去除前述保护膜之后,于前述导电层上形成电介 体膜的步骤。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法, 其中去除前述第二光阻膜的步骤,系包括有: 利用电浆灰化(plasma ashing)以去除包括前述第二光 阻膜之上部表面的上层部分之步骤;以及 利用湿式蚀刻法以去除位于前述上层部分下方之 前述第二光阻膜之下层部分的步骤。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法 ,其中前述第二光阻膜之上层部分,系植入有前述 磷的变质层。 11.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中前述保护膜为氧化膜或氮化膜。 12.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中前述保护膜系使用化学气相成长法或溅镀法 所形成。 13.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中前述保护膜系使用紫外线照射法所形成。 14.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法 ,其中,该半导体装置系用以制造液晶显示装置者 。 图式简单说明: 第1图系显示本发明液晶显示装置之实施形态1的 剖面模式图。 第2图系说明第1图所示之液晶显示装置的制造方 法之第一步骤的剖面模式图。 第3图系说明第1图所示之液晶显示装置的制造方 法之第二步骤的剖面模式图。 第4图系说明第1图所示之液晶显示装置的制造方 法之第三步骤的剖面模式图。 第5图系说明第1图所示之液晶显示装置的制造方 法之第四步骤的剖面模式图。 第6图系说明第1图所示之液晶显示装置的制造方 法之第五步骤的剖面模式图。 第7图系说明第1图所示之液晶显示装置的制造方 法之第六步骤的剖面模式图。 第8图系说明本发明液晶显示装置之实施形态2的 制造方法之第一步骤的剖面模式图。 第9图系说明本发明液晶显示装置之实施形态2的 制造方法之第二步骤的剖面模式图。 第10图系说明本发明液晶显示装置之实施形态2的 制造方法之第三步骤的剖面模式图。 第11图系说明本发明液晶显示装置之实施形态3的 制造方法之第一步骤的剖面模式图。 第12图系说明本发明液晶显示装置之实施形态3的 制造方法之第二步骤的剖面模式图。 第13图系显示以往之液晶显示装置的剖面模式图 。 第14图系显示第13图所示之液晶显示装置的制造方 法之第一步骤的剖面模式图。 第15图系说明第13图所示之液晶显示装置的制造方 法之第二步骤的剖面模式图。 第16图系说明第13图所示之液晶显示装置的制造方 法之第三步骤的剖面模式图。 第17图系显示薄膜电晶体之通道区域之杂质浓度 与临界电压之变化量的关系图表。 第18图系说明液晶显示装置之另一制造方法的剖 面模式图。 第19图系显示对矽所制成之靶材植入硼离子时之 自靶材之植入面的深度与硼之浓度的关系图表。 第20图系显示液晶显示装置之另一例的剖面模式 图。 第21图系说明第20图所示之液晶显示装置的制造方 法之第一步骤的剖面模式图。 第22图系说明第20图所示之液晶显示装置的制造方 法之第二步骤的剖面模式图。 |
