Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und Herstellverfahren für denselben

摘要

Es werden ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben, wobei die Kapazität eines Speicherzellenkondensators durch maximale Fläche desselben erhöht ist und wobei Prozessschritte durch Vereinfachen des Layoutdesigns vereinfacht sind. DOLLAR A Der erfindungsgemäße nichtflüchtige ferroelektrische Speicher ist mit Folgendem versehen: ersten und zweiten Teilwortleitungen (SWL1, SWL2), die mit einem bestimmten Intervall in einer Richtung ausgebildet sind; ersten und zweiten Bitleitungen (B/L1, B/L2), die die ersten und zweiten Teilwortleitungen schneidend mit einen bestimmten Intervall ausgebildet sind; ersten und zweiten Source/Drain-Fremdstoffbereichen, die jeweils zu beiden Seiten der ersten und zweiten Teilwortleitungen ausgebildet sind; einem ersten ferroelektrischen Kondensator (FC1), der auf der zweiten Teilwortleitung ausgebildet ist und eine mit dem ersten Sourcefremdstoffbereich elektrisch verbundene untere Elektrode und eine mit der zweiten Teilwortleitung verbundene obere Elektrode aufweist; und einem zweiten ferroelektrischen Kondensator (FC2), der auf der ersten Teilwortleitung ausgebildet ist und eine mit dem zweiten Sourcefremdstoffbereich elektrisch verbundene untere Elektrode und eine mit der ersten Teilwortleitung verbundene obere Elektrode aufweist.