| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft die Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials zur Veränderung der elektrischen Eigenschaften desselben, wobei die Verbindung bezüglich des Matrixmaterials einen n-Dotanden darstellt. Um n-dotierte organische Halbleiter auch bei Matrixmaterialien mit geringem Reduktionspotential unter Erzielung hoher Leitfähigkeiten bereitzustellen, wird vorgeschlagen, als Dotandenverbindung einen neutralen elektronenreichen Metallkomplex mit einem Zentralatom als vorzugsweise neutrales oder geladenes Übergangsmetallatom mit einer Valenzelektronenzahl von zumindest 16 einzusetzen. Der Komplex kann insbesondere mehrkernig sein und zumindest eine Metall-Metall-Bindung aufweisen. Zumindest ein Ligand kann mit dem Zentralatom einen Pi-Komplex bilden, ein Brückenligand, insbesondere hpp, sein, ein Borat, Carboran oder Triazacycloalkan sein oder zumindest ein Carbanionkohlenstoffatom oder ein zweibindiges Atom, ausgewählt aus der Gruppe C (Carben), Si (Silylen), Ge (Germylen), Sn, Pb, enthalten.</p> |
