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Eine Halbleitervorrichtung besteht aus einem Interface-Chip (101) und einer Anzahl von DRAM-Chips (110), die aufeinander folgend auf den Interface-Chip (101) geschichtet sind. Eine Anzahl von Quellenelektroden (121), eine Anzahl von Masseelektroden (122) und eine Anzahl von Signalelektroden (123) gehen durch die DRAM-Chips (110) durch und verbinden die DRAM-Chips (110) mit dem Interface-Chip (101), der mit einer externen Schaltung verbunden ist. Jede Quellenelektrode (121), eine entsprechende Signalelektrode (123) und eine entsprechende Masseelektrode (122) sind nebeneinander in der genannten Reihenfolge angeordnet, um das elektromagnetische Rauschen während des Betriebes des DRAM-Chips (110) zu verringern.
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