Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) aus Silizium mit einer ersten Hartmaskenschicht (10; 10') aus Siliziumoxid und einer darüber liegenden zweiten Hartmaskenschicht (15; 15') aus Silizium; Vorsehen einer Maskierungsschicht (30; 30') aus Siliziumoxid über und seitlich der zweiten Hartmaskenschicht (15; 15') aus Silizium und über einem freiliegenden Randbereich (RB) des Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer Fotolackmaske (25) über der Maskierungsschicht (30; 30') mit Öffnungen entsprechend von im Halbleitersubstrat (1) zu bildenden Gräben (DT); Öffnen der Maskierungsschicht (30; 30') in einem ersten Plasmaprozess unter Verwendung der Fotolackmaske (25), wobei der Randbereich (RB) durch eine Abschirmeinrichtung (AR) abgedeckt wird; Öffnen der ersten Hartmaskenschicht (10; 10') und zweiten Hartmaskenschicht (15; 15') in einem zweiten und dritten Plasmaprozess; und Bilden der Gräben (DT) in dem Halbleitersubstrat (1) in einem vierten Plasmaprozess unter Verwendung der geöffneten ersten Hartmaskenschicht (10; 10'); wobei der Randbereich (RB) im zweiten bis vierten Plasmaprozess nicht durch die Abschirmeinrichtung (AR) abgedeckt wird.