化学机械研磨机台滑片检测方法

摘要

本发明提供一种检测硅片机台滑片的方法，利用原本就具有的终点侦测装置，无需再多耗费设备成本，即可有效侦测滑片情形并防止破片情况的发生。本发明系利用设于CMP机台内部的光学侦测系统连续侦测芯片表面的反射率，光源系从内部入射至研磨垫的下表面，因此可避免因散射导致侦测效果不佳情况的发生，适用于各类型的研磨垫。本发明通过分析反射率资料曲线可立即反应硅片滑出的事实，配合硅片载具立即上抬，可有效防止硅片破片，节省成本。

主权项

1.一种化学机械研磨机台滑片检测方法，其特征在于包括以下步骤：提供一化学机械研磨机台，所述化学机械研磨机台包括一测量窗口的研磨垫，在其上设有一研磨硅片，并有一光学侦测系统设于所述化学机械研磨机台内部；以所述光学侦测系统测量并记录所述研磨硅片的表面反射率，以建立一反射率资料；以及依据所述反射率资料判断所述研磨硅片的状态，当所述反射率资料曲线急剧下降且成一直线时，进行一硅片滑片处理，反之则为正常运作状态，继续建立所述反射率资料。