| 发明名称 | 半导体晶片表面保护用粘结膜及使用其保护该晶片方法 | ||
| 摘要 | 以提供一种具有优良密合性、防破损性和非污染性的半导体晶片表面保护用粘结膜为目的，提供了一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下的储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc≥3tb…(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN1222017C | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN02143541.3 | 申请日期 | 2002.09.27 |
| 申请人 | 三井化学株式会社 | 发明人 | 宫川诚史;片冈真;藤井靖久;才本芳久;早川慎一 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 熊志诚 |
| 主权项 | 1、一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，粘结剂层(B)25℃下的储藏弹性模数(G’25℃)为0.1～5MPa，而且储藏弹性模数比(G’25℃/G’min)在1～3范围内，中间层的至少一层(C)在50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度tb与所述中间层(C)的总厚度tc满足下述关系式(1)：tc≥3tb…(1)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||