发明名称 液晶显示装置及其制造方法
摘要 液晶显示装置及其制造方法,采用半色调图像曝光技术,在1次的照相蚀刻工程上,形成信道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管的半导体层以及源极/漏极配线,以往的制造方法企图删减制造工程数,结果,不但逐渐缩小制造上的容许度,源极/漏极配线间的距离也变短,最后,良品率、性能也跟着下降。同时形成透明导电层与金属层层叠成的扫描线以及模拟像素电极,并在对栅极绝缘层形成开口部时,将模拟像素电极上的金属层去除后,再加上将透明导电性的像素电极形成的合理化,采用感光性有机绝缘层,形成蚀刻中止层型的绝缘栅极型晶体管的源极/漏极配线,以将感光性有机绝缘层直接保留的方法,建构出不需要半色调显像曝光技术的4片光刻板制程方案。
申请公布号 CN1677210A 申请公布日期 2005.10.05
申请号 CN200510060170.X 申请日期 2005.03.29
申请人 广辉电子日本株式会社;广辉电子股份有限公司 发明人 川崎清弘
分类号 G02F1/136;G02F1/133 主分类号 G02F1/136
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 黄剑锋
主权项 1.一种液晶显示装置,其是通过在一个主平面上至少具有绝缘栅极型晶体管、兼具上述绝缘栅极型晶体管栅极的扫描线和兼具源极配线的信号线、以及被连接到漏极配线的像素电极的单位像素被排列成二维矩阵的第1透明性绝缘基板;与上述第1透明性绝缘基板对置的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片之间填充液晶而构成的,其特征在于至少,在第1透明性绝缘基板的一个主平面上,形成有透明导电层与第1金属层层叠成的扫描线、透明导电性的像素电极以及相同透明导电性信号线电极端子;通过等离子体保护层、栅极绝缘层以及不含杂质的第1半导体层,在栅极上形成较该栅极宽度窄的保护绝缘层;在像素电极和图像显示部以外区域的该扫描线的一部份上的等离子体保护层、栅极绝缘层以及第1半导体层上,分别形成开口部,在各开口部内,露出透明导电性的像素电极、扫描线的电极端子以及信号线的电极端子;在与上述保护绝缘层的一部份重叠的上述第1半导体层上,形成由含杂质的第2半导体层和至少包括一层耐热金属层的第2金属层层叠构成的源极配线(信号线),是在与上述保护绝缘层的一部份重叠的上述第1半导体层上同样形成漏极配线;在信号线电极端子的一部分上,形成由第二金属层所组成的该信号线的一部分,以及在上述开口部中像素电极的一部分上,同样形成漏极配线的一部分;除了上述源极/漏极配线区域外,去除第1半导体层以在第1透明性绝缘基板上露出栅极绝缘层;在上述源极/漏极配线上形成感光性有机绝缘层。
地址 日本大阪府