闪存的双位记忆胞结构

摘要

本发明提供一种闪存的双位记忆胞结构，其包括有一内具有一第一位线与一第二位线的半导体基底，一介于第一位线与第二位线的间的双位栅极结构，一控制第一、二位线且与其以几近垂直方式交叉重叠排列的第一、二字符线的记忆胞结构，利用这样的结构设计来达成单一记忆单元内的双位存储器的电压由分别独立的字符线的所控制的目的，从而避免了通常读取单一位资料时会受到另一位存储器状态的影响的缺点。

主权项

1.一种闪存的双位记忆胞结构，其特征在于包括：一半导体基底，其内具有一第一位线与一第二位线；位于所述半导体基底上的一双位栅极结构，所述双位栅极结构的位置介于所述第一位线与所述第二位线之间；一第一字符线，其与所述第一位线以几近垂直的方式交叉重叠排列，且所述第一字符线控制所述第一位线；以及一第二字符线，其与所述第二位线以几近垂直的方式交叉排列，且所述第二字符线控制所述第二位线。