发明名称 晶体管和包括晶体管的显示器
摘要 一种晶体管具有在其间保证有预定间隔而形成在半导体层上的源极和漏极,所形成的半导体层透视叠盖栅极。源极和漏极的长度方向各比其宽度方向长。源极具有形成在其内以允许漏极的尖端部分进入的凹槽部分。半导体层凸出到栅极之外,以形成不叠盖栅极而叠盖源极的部分,和不叠盖栅极而叠盖漏极的部分。因此,叠盖源极的凸出部分和叠盖漏极的凸出部分被栅极互相分离以使它们互相独立。在半导体岛凸出到栅极之外的各部分因为越过栅极传播的光或另一种原因引起的光电效应而导电时,这样可以防止在源极与漏极之间发生短路。
申请公布号 CN1222048C 申请公布日期 2005.10.05
申请号 CN01817273.3 申请日期 2001.10.09
申请人 三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社 发明人 森田聪;小林修;小田幸平
分类号 H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 主分类号 H01L29/786
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李强
主权项 1、一种具有在其间保证有预定间隔、并排形成在半导体层上的源极和漏极的晶体管,所形成的半导体层透视叠盖栅极,其特征在于,漏极对着源极的一边的转角被弄圆为凸曲线形,源极对着漏极的一边被形成为与凸曲线形的漏极边对应的凹曲线形,将源极不对着漏极的一边形成为沿源极对着漏极的那一边延伸的凸曲线形,以便源极具有均匀的宽度,半导体层凸出到栅极之外以形成叠盖源极的部分和叠盖漏极的部分,叠盖源极的凸出部分和叠盖漏极的凸出部分被栅极互相分离以使它们互相独立,沿着源极的轮廓,部分地去除半导体层上叠盖栅极并对着源极的不对着漏极的那一边的部分。
地址 日本大阪府