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发明名称 MEMORY HAVING A PRECHARGE CIRCUIT AND METHOD THEREFOR
摘要
申请公布号 EP1581951(A2) 申请公布日期 2005.10.05
申请号 EP20030761896 申请日期 2003.05.01
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 ANDRE, THOMAS, W.;NAHAS, JOSEPH, J.;SUBRAMANIAN, CHITRA, K.
分类号 G11C11/16;(IPC1-7):G11C11/16 主分类号 G11C11/16
代理机构 代理人
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