发明名称 Pin Photodiode
摘要 A pin-photodiode has a semiconductor detector layer (3) with a small band gap with a p-doped zone under wider band-gap of a semiconductor mantle layer (4). The mantle (4) p-doped zone (7) has a detent (5) over the photodetection layer (3).
申请公布号 EP1583157(A2) 申请公布日期 2005.10.05
申请号 EP20050005879 申请日期 2005.03.17
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 REILL, WOLFGANG
分类号 H01L31/105;(IPC1-7):H01L31/105 主分类号 H01L31/105
代理机构 代理人
主权项
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