多阶存储单元

摘要

一种多阶存储单元，包括基底、穿隧介电层、电荷陷入层、顶介电层、栅极以及源极/漏极区。其中，穿隧介电层、电荷陷入层以及顶介电层依序配置在基底与栅极之间，且顶介电层中划分有至少二区块，顶介电层在每一区块内的厚度皆不相同。而源极/漏极区则设置在栅极两侧的基板中。由于顶介电层在每一区块内的厚度皆不相同，因此当施加电压于存储单元时，每一区块所对应的栅极与基底之间的电场强度即不相同，而使每一区块所对应的电荷陷入层内所储存的电荷量并不相同。故能在单一存储单元储存多个位，而可提高存储单元的存储容量。

主权项

1.一种多阶存储单元，包括：一基底；一栅极，设置于该基底上；一源极区与一漏极区，分别设置于该栅极两侧的该基底中；以及一底氧化硅/氮化硅/顶氧化硅层，设置于该栅极与该基底之间，该顶氧化硅层从该源极区至该漏极区划分为一第一区块与一第二区块，该第一区块的该顶氧化硅层厚度与该第二区块的该顶氧化硅层厚度不同。