金属－绝缘体－金属电容器之电极的制造方法

摘要

一种在金属－绝缘体－金属(metal－insulator－metal，MIM)电容器制造中制作电极的方法。本方法通过在金属－绝缘体－金属电容制作中，在将上电极沉积在介电层上期间防止电浆伤害介电层，以及缩减或防止介电层与一电极或多个电极间的界面层的生成，来改善金属－绝缘体－金属电容的性能。本方法一般包括：图案化衬底，以在衬底中形成冠状的电容开口；在每一冠状开口中沉积下电极；对下电极进行快速热处理(RTP)或炉内退火步骤；将介电层沉积在退火后的下电极上；利用无电浆化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)过程将上电极沉积在介电层上；以及图案化每一个金属－绝缘体－金属电容的上电极。

主权项

1.一种金属-绝缘体-金属电容器之电极的制造方法，至少包括：提供一衬底；在该衬底中提供一电容开口；在该电容开口中提供一下电极；对该下电极进行一退火步骤；在该下电极上提供一介电层；以及在该介电层上沉积一上电极。