半导体器件以及其制造方法

摘要

半导体器件的第3半导体区域(23)，具有包围第2半导体区域(22)的外侧面(22b)和第1半导体区域(21)的外侧面(21a)向下方延伸的外缘区域(23a)。在第3半导体区域(23)的外缘区域(23a)，由于沿深度方向杂质扩散浓度减少，所以越是经过外缘区域(23a)的外侧的路径电阻越增加。并且，第2半导体区域(22)与第3半导体区域(23)之间的PN结区域，形成在外缘区域(23a)的内侧，从半导体衬底(27)的侧面(28)完全隔离。因此，向PN结区域施加反向偏置电压时，在PN结区域的外周部电流难以流动、反向耐压不会发生变动。

主权项

1.一种半导体器件，具有半导体衬底，该衬底含有第1半导体区域，以比该第1半导体区域高的杂质扩散浓度在该第1半导体区域的一侧形成的第2半导体区域，以及具有与所述第1半导体区域以及所述第2半导体区域不同的导电类型、且在与所述第1半导体区域相反一侧与所述第2半导体区域相邻接地配置的第3半导体区域；在所述第2半导体区域和所述第3半导体区域之间形成PN结区域；其特征在于：所述半导体衬底具有以比所述第1半导体区域高的杂质扩散浓度形成在所述第1半导体区域的另一侧的第4半导体区域，所述第3半导体区域含有包围所述第2半导体区域的外侧面和所述第1半导体区域的外侧面的外缘区域，所述外缘区域没有到达所述第4半导体区域、朝向下方逐渐变窄，且杂质浓度沿深度方向减少。