图像传感器、包括图像传感器的照相机系统及其制造方法

摘要

一种图像传感器(1)，其包含具有第一导电类型且具有表面(3)的半导体主体(2)，该表面具有大量的单元(4)，单元包括光敏元件(5)和复位晶体管(6)，复位晶体管包括源区(7)、漏区(8)和栅区(9)。源区(7)和漏区(8)具有与第一导电类型相反的第二导电类型，复位晶体管(6)的源区(7)与光敏元件(5)电连接。存在阱区(10)，该阱区从表面(3)延伸到半导体主体(2)中，并且至少部分地在栅区(9)下面延伸，且阱区具有第一导电类型。源区(7)至少基本上在光敏元件(5)的掺杂区(11)中延伸，该掺杂区(11)具有第二导电类型。源－阱结面积被减小，从而减少了白像素的数量和固定的图形噪声。在制造图像传感器的方法中，在栅区(9)的下面部分定位阱区(10)，使得在高掺杂源区(7)和阱区(10)之间存在距离(13)。该距离(13)增加了源和阱结之间的耗尽层宽度，使得隧道电流不再控制漏电流，白像素的相对数量和固定的图形噪声也被减小。

主权项

1.一种包含半导体主体的图像传感器，所述半导体主体具有第一导电类型并包含一个表面，在该表面上具有多个单元，所述单元包括光敏元件和复位晶体管，该复位晶体管包括源区、漏区和栅区，源区和漏区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，复位晶体管的源区与光敏元件电连接，其中存在阱区，该阱区从表面延伸到半导体主体中，并且至少部分地在栅区下面延伸，该阱区具有第一导电类型，源区至少基本上在光敏元件的掺杂区中延伸，该掺杂区具有第二导电类型。