在开口中形成导电材料的方法和与其相关的结构

摘要

使用支撑层辅助平面化处理以在开口内形成导电材料(例如VIII族金属)的方法和结构。而且，这种方法和结构可以使用VIII族金属作为平面化处理的蚀刻终止或终点，随后蚀刻除去不需要的VIII族金属部分。在开口内提供导电材料(44)的一个典型方法包括，提供具有至少一个表面的基底组件，并提供通过基底组件表面限定的开口。开口由至少一个表面限定。至少一种导电材料(44)(例如至少一种VIII族金属，如铂和/或铑)形成在开口内限定该开口的至少一个表面上，并且形成在基底组件表面的一部分上。支撑膜(46)(例如氧化物材料)形成在导电材料上，并且填充材料(48)(例如光刻胶材料)形成在支撑膜的至少一部分上。所述填充材料至少填充开口。然后，至少开口外面的填充材料通过平面化除去。然后除去开口外部的支撑膜、开口外部的所述至少一种导电材料、开口内部的填充材料和开口内部的支撑膜。

主权项

1.一种在开口中提供导电材料的方法，所述方法包括：提供具有至少一个表面的基底组件；提供穿过基底组件表面限定的开口，其中开口通过至少一个表面限定；至少一种导电材料形成在开口内部限定该开口的至少一个表面上，并形成在基底组件表面的至少一部分上；在所述至少一种导电材料上形成支撑膜；在支撑膜的至少一部分上形成填充材料，其中填充材料至少填充开口；通过平面化至少除去开口外的填充材料；除去开口外部的支撑膜；除去开口外的所述至少一种导电材料；除去开口内的填充材料；和除去开口内的支撑膜。