非易失性半导体存储器及其驱动方法

摘要

一种非易失性半导体存储器，包括存储单元阵列、控制电路和地址控制电路。在存储单元阵列中，多个存储单元排列成行和列的矩阵。控制电路响应擦除指令设置写/擦方式，并对擦除指令计数。地址控制电路基于在写/擦方式中控制电路的计数值，根据写操作的输入地址产生写地址。对基于当前写操作中一系列写地址访问的存储单元的写顺序，与对基于前次写操作中一系列写地址访问的存储单元的写顺序不同。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于包括：存储单元阵列，其中多个存储单元排列成行和列的矩阵；控制电路，其用于响应擦除指令设置写/擦方式，并对所述擦除指令计数；和地址控制电路，其基于在所述写/擦方式中所述控制电路的计数值，根据写操作的输入地址产生写地址，其中对基于当前写操作中一系列所述写地址访问的所述存储单元的写顺序，与对基于前次写操作中一系列写地址访问的所述存储单元的写顺序不同。