液晶显示装置及其制造方法

摘要

一种液晶显示装置及其制造方法，采用半色调图像曝光技术的1次照相蚀刻工序，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管半导体层与源极/漏极配线，将以往制造工序数删减的以往的制造方法中，会使制造容许值(余量)变小，源极/漏极配线之间的距离变短，成品率也会随之下降。同时形成由透明导电层与金属层层迭形成的扫描线与仿真像素电极，且在朝向钝化绝缘层的开口部形成时，去除仿真像素电极上的金属层后，再将形成透明导电性的像素电极合理化，并在形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管半导体层区域时去除栅极绝缘层，以删减接触点形成工序，这样即可建构不需要半色调图像曝光技术的四片掩模处理方案。

主权项

1.一种液晶显示装置，由单位像素在一个主面上排列成二维矩阵的第一透明性绝缘基板，和与上述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间填充液晶而构成，其中该单位像素至少具有绝缘栅极型晶体管，以及兼具上述绝缘栅极型晶体管栅极的扫描线与兼具源极配线的信号线，以及连接漏极配线的像素电极，其特征在于，该液晶显示装置至少：在第1透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第1金属层层迭形成的扫描线，以及透明导电性的像素电极(与透明导电性的信号线电极端子)，通过等离子保护层与栅极绝缘层，在栅极上形成岛状的宽度大于栅极且不含杂质的第1半导体层，在上述第1半导体层上，与栅极一部分重叠后，形成构成绝缘栅极型晶体管的源极/漏极的一对含杂质的第2半导体层，在上述像素电极上与部分扫描线上(与信号线的电极端子上)的等离子保护层以与栅极绝缘层形成开口部，露出上述像素电极以及作为一部分扫描线的透明导电层(或是透明导电性的扫描线电极端子与信号线电极端子)，在上述第2半导体层上与栅极绝缘层上，形成由包括耐热金属层在内的一层以上可阳极氧化的第2金属层构成的源极配线(信号线)，以及在上述第2半导体层上、栅极绝缘层上以及上述像素电极的一部分上，同样形成漏极配线，以及在图像显示部外的区域中形成由部分信号线构成的电极端子(或是在透明导电性的信号线电极端子的一部分上、上述第2半导体层上形成第2金属层构成的信号线，以及在上述第2半导体层上、栅极绝缘层上和上述像素电极的一部分上，同样形成漏极配线)，除了上述信号线的电极端子之外，在源极/漏极配线表面上形成阳极氧化层，在上述源极/漏极配线间的第一半导体层上，形成氧化硅层。