| 发明名称 | RF集成电路用绝缘硅片 | ||
| 摘要 | 一种RF半导体器件，其由包括多晶硅晶圆、位于该多晶硅晶圆上的隐埋氧化物层和位于该氧化物层上的硅层的起始基片制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1679159A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN03820750.8 | 申请日期 | 2003.06.30 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | M·A·法蒂穆拉;K·托马斯 |
| 分类号 | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种RF半导体器件，其包括：高电阻率多晶硅晶圆；位于该多晶硅晶圆上的隐埋氧化物层；和位于该隐埋氧化物层上的硅层。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||