| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件具有：在硅晶片(4)的元件形成面上所形成的与电路电连接的电极区(2)；与上述电极区(2)电连接的进行了再布线的布线图形(5)；以及在上述布线图形(5)表面上通过上述布线图形(5)的氧化而形成了的氧化膜(10)。上述半导体器件通过形成了上述氧化膜(10)，可防止电特性等的可靠性的降低，同时与现有技术相比，可降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1677657A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN200510054502.3 | 申请日期 | 2005.03.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 岩崎良英;住江信二;森胜信 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：基板；在上述基板的元件形成面上所形成的电路；与上述电路电连接的电极区；与上述电极区电连接的进行了再布线的布线图形；以及在上述布线图形表面上使上述布线图形氧化而形成了的氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||