| 发明名称 | 磁电阻效应装置、磁头、磁记录设备和存储装置 | ||
| 摘要 | 一种磁电阻效应装置，包括：一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；一非磁性层；和一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，其中该被钉扎层包括：一用于交换耦合的第一非磁性膜；和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。 | ||
| 申请公布号 | CN1221947C | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN01109991.7 | 申请日期 | 2001.08.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 榊间博;川分康博;杉田康成 |
| 分类号 | G11B5/39;G11C11/15 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1.一种磁电阻效应装置，包括：一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；一非磁性层；和一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，其中被钉扎层包括：一用于交换耦合的第一非磁性膜；和通过第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，和第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||