高纯度硅的生产方法

摘要

本发明提供一种纯度为99.99999-99.99999999％的高纯度硅及其生产方法。该方法包括将作为原料的金属硅熔炼成硅熔体，往该硅熔体中添加石灰、氧化铁、萤石；和/或石灰、萤石；和吹入氧气、氯气、含水的氢气以及氩气；最终使该硅熔体中在结晶器中顺序定向凝固步骤。

主权项

1、一种生产高纯度硅的方法，其步骤为：第一步、将液态和固态的金属硅在感应电炉中熔化；第二步、将该硅熔体的温度逐步升至1900-1950℃，在升温过程中根据取样分析结果添加如下一种或几种的添加料和吹入如下一种或几种气体：A、重量比为3-4∶0.5-1∶0.5-1的石灰、氧化铁和萤石添加料，其量为该硅熔体重的8-15％；B、重量比为3.5-4.5∶0.5-1.5的石灰和萤石添加料，其量为该硅熔体重量的8-15％；C、氧气、氯气和含有0.01-1.0％(重量)的水或水蒸气的氢气；第三步，吹完上述气体后最后吹入氩气；第四步、当该硅熔体的温度逐步上升至1900-1950℃时，将其倾入温度可控的结晶器中，使其以20-10毫米/小时的凝固速度自下而上地顺序定向凝固，最后切去所得晶体上端部的杂质富集区；第五步、将步骤四所得的硅晶体于步骤一的中频感应电炉中熔化，升温，当该硅熔体的温度逐步升至1900-1950℃时重复步骤四。