计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法

摘要

在空穴注入型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中提供的一种在沟道方向具有杂质浓度分布的门限电压模型。利用空穴在沟道方向渗透到基片的渗透长度以及空穴中最大杂质浓度作为物理参数，通过线性地近似沟道方向上的分布获得门限电压模型。考虑到通过利用具有不均匀分布的新门限条件经分析求解模型，可以精确地获得该门限电压。根据获得的模型，该门限电压可以预测并且可以用于电路设计。

主权项

1.一种用于计算半导体器件中的空穴注入型金属氧化物半导体场效应晶体管的门限电压的方法，其特征在于包括下列步骤：利用空穴在沟道方向渗透到基片的渗透长度以及空穴中最大杂质浓度作为参数获得一个近似的分布，以便线性地近似该基片内沟道方向杂质浓度的分布的步骤；以及根据获得的近似分布，用沟道长度对逆向层电荷密度的倒数在整个沟道中积分的值进行除法运算而得到的平均值的倒数来计算出平均电荷密度，以所述平均电荷密度与门限电荷密度一致的门限条件为基础，分析性地求解门限电压的模型，来计算门限电压的步骤，计算所述门限电压的步骤，将所述平均电荷密度表示为金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电压的函数，求出给定所述平均电荷密度的栅极电压的公式，相对于所述栅极电压的公式，计算适用了所述门限条件的门限电压。