| 发明名称 | 覆晶封装方法及其覆晶用构造 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种覆晶封装方法及其覆晶用构造，其利用半蚀刻的方法，在制作封装用导线架时，即蚀刻出覆晶焊块，再通过电镀，在覆晶焊块的上方镀上金、银、或焊锡等金属，并将晶圆上的芯片焊垫与覆晶焊块形成电性导接后，利用封装材料加以灌胶封装而成；本发明的制作过程，不需在芯片焊垫上长出覆晶焊块(锡球)，并且可利用原有的制作导线架的设备，因此本发明可大幅简化制作过程，达到降低成本的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN1677630A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN200410030942.0 | 申请日期 | 2004.04.01 |
| 申请人 | 菱生精密工业股份有限公司 | 发明人 | 何秀芬;杜明德 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 彭焱 |
| 主权项 | 1.一种覆晶封装方法，其特征在于包括下列步骤：在一具有多个覆晶区(20)的导线架(10)上，利用半蚀刻的方法，形成多个覆晶焊块(40)；另制作一具有多个芯片焊垫(70)的待封装晶圆(80)，所述多个芯片焊垫(70)与所述多个覆晶焊块(40)形成电性导接后，再利用一封装材料(90)灌胶封装而成。 | ||
| 地址 | 台湾台中县 | ||