| 发明名称 | SiO<SUB>2</SUB>/SiC 结构中界面态的氮钝化 | ||
| 摘要 | 通过在基本无氧的含氮环境中使氮化的氧化物层退火处理在碳化硅层上的氧化物层。退火可在高于约900℃，例如约1100℃、约1200℃或约1300℃的温度进行。使氮化的氧化物层退火可在低于约1个大气压，例如约0.01－约1atm或特别是约0.2atm的压力下进行。氮化的氧化物层可以是在含有N<SUB>2</SUB>O和/或NO的环境中生长的氧化物层，在含有N<SUB>2</SUB>O和/或NO的环境中退火的氧化物层，或者在含有N<SUB>2</SUB>O和/或NO的环境中生长并退火的氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1679149A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN03820297.2 | 申请日期 | 2003.08.25 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | A·W·萨克斯勒;M·K·达斯 |
| 分类号 | H01L21/314;H01L21/04 | 主分类号 | H01L21/314 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种处理在碳化硅层上的氮化的氧化物层的方法，该方法包括：在基本无氧的含氮环境中使氮化的氧化物层退火。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||