| 发明名称 | 存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可减小存储器单元尺寸的存储器。该存储器具备第一导电类型的第一杂质区域，形成于半导体基板的主表面的存储器单元阵列区域中，用作包含于存储器单元中的二极管的一个电极；和多个第二导电类型的第二杂质区域，隔着规定间隔，形成于第一杂质区域的表面，用作二极管的另一电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1677673A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN200510055108.1 | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 山田光一 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种存储器，具备第一导电类型的第一杂质区域，形成于半导体基板的主表面的存储器单元阵列区域中，用作包含于存储器单元中的二极管的一个电极；和多个第二导电类型的第二杂质区域，隔着规定间隔形成于所述第一杂质区域的表面，用作所述二极管的另一电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||