发明名称 |
改进电子发射的场发射显示器及其制造方法 |
摘要 |
一种改进电子发射的场发射显示器及其制造方法,主要是使电子发射的直线距离一致,该场发射显示器包括:一阳极电极层结构及一与该阳极电极层结构相对配置的阴极电极层结构,该阴极电极层结构包括一基板,该基板上形成有一绝缘层,在该绝缘层上形成有一闸极导电层,在该绝缘层与闸极导电层上形成有用于暴露基板的穿孔及凹陷区域,在该凹陷区域暴露的基板表面上形成有一呈突起状的阴极电极层,该突起状的阴极电极层的中心位置较高而四周位置较低,使从阴极电极层中心位置射向闸极导电层的穿孔直线距离与从阴极电极层四周位置射向闸极导电层的穿孔直线距离一致,让电子发射源的吸引电场一致,所产生的电子束电流密度均匀。 |
申请公布号 |
CN1677611A |
申请公布日期 |
2005.10.05 |
申请号 |
CN200410030735.5 |
申请日期 |
2004.03.31 |
申请人 |
东元奈米应材股份有限公司 |
发明人 |
方金寿 |
分类号 |
H01J31/12;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/30;H01J9/02 |
主分类号 |
H01J31/12 |
代理机构 |
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余朦;方挺 |
主权项 |
1.一种改进电子发射的场发射显示器,所述场发射显示器包括:一阳极电极层结构;一与所述阳极电极层结构相对配置的阴极电极层结构,所述阴极电极层结构包括一基板,所述基板上形成有一绝缘层,在绝缘层上形成有一闸极导电层,在所述绝缘层与闸极导电层上形成有用于暴露基板的穿孔及凹陷区域,其特征在于,在所述凹陷区域暴露的基板表面上形成有一呈突起状的阴极电极层,所述突起状的阴极电极层中心的位置较高而四周的位置较低,使从阴极电极层中心位置射向闸极导电层的穿孔的直线距离与从阴极电极层四周位置射向闸极导电层的穿孔的直线距离一致,使电子发射源的吸引电场一致,所产生的电子束电流密度均匀。 |
地址 |
中国台湾 |