| 发明名称 | 用于检测半导体器件缺陷部分的方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种用于检测缺陷的设备，包括半导体元件。在半导体元件中，通过正常状态的绝缘膜，将导电薄膜构成在对延伸进半导体区域中的浅沟槽进行填充的STI(浅沟槽隔离)绝缘膜之上，从而浅沟槽没有被处于缺陷状态的STI绝缘膜完全或充分地填充。此外，该设备包括：控制电路，对其配置以便响应检测模式指示信号来设置检测模式；第一施压电路，对其配置以便在检测模式中输出第一电压给导电薄膜；以及第二施压电路，对其配置以便在检测模式中输出第二电压给半导体区域。第一电压高于第二电压，并且第一电压和第二电压之间的电压差足以在导电薄膜和处于缺陷状态的半导体区域之间导致击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN1677638A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN200510056199.0 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 铃木润一;金森宏治 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种用于检测缺陷的设备，包括：半导体元件，其中通过处于正常状态的绝缘膜，将导电薄膜构成在对延伸进半导体区域中的浅沟槽进行填充的STI(浅沟槽隔离)绝缘膜之上，其中所述浅沟槽没有被处于缺陷状态的所述STI绝缘膜完全或充分地填充；控制电路，配置其以响应检测模式指示信号设置检测模式；第一施压电路，配置其以在所述检测模式中将第一电压输出给所述导电薄膜；以及第二施压电路，配置其以在所述检测模式中将第二电压输出给所述半导体区域；以及其中所述第一电压高于所述第二电压，并且所述第一电压和所述第二电压之间的电压差足以在所述导电薄膜和所述处于缺陷状态的半导体区域之间导致击穿。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||