| 发明名称 | 差分浮栅非挥发性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及利用差分pFET浮栅晶体管来存储信息的差分浮栅非挥发性存储器和存储器阵列的若干设计。本发明也提供建构所述存储器和存储器阵列的方法以及与所述存储器和存储器阵列有关的操作和测试方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1679110A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN03820492.4 | 申请日期 | 2003.07.03 |
| 申请人 | 伊皮杰有限公司 | 发明人 | 查德·A·林霍斯特;克里斯托弗·J·迪奥里奥;特洛伊·N·吉利兰;阿尔贝托·佩萨文托;沙伊尔·斯利尼瓦斯;马彦军;特里·哈斯;卡姆比兹·拉希米 |
| 分类号 | G11C7/06;G11C16/28 | 主分类号 | G11C7/06 |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种差分非挥发性浮栅存储器，其包含：一个具有一个第一浮栅的第一pFET浮栅晶体管；一个具有一个第二浮栅的第二pFET浮栅晶体管；和一个经耦合以接收来自所述第一pFET浮栅晶体管和所述第二pFET浮栅晶体管的电流的差分读出放大器。 | ||
| 地址 | 美国华盛顿州 | ||