等离子体处理装置以及方法

摘要

本发明提供可以抑制颗粒附着而防止晶片污染的等离子体处理装置以及方法。等离子体处理装置具备对晶片进行等离子体处理的处理室(100)。处理室(100)具备腔室侧壁(110)、上部电极(111)、为了用静电将晶片吸附在ESC台(120)而被埋设的吸附晶片用的ESC电极(120a)、配置在晶片的外周上的聚焦环(121)以及ESC台(120)。在ESC台(120)上，为了用静电将聚焦环(121)吸附在ESC台(120)而埋设吸附FR用的ESC电极(122a)。等离子体处理装置在进行等离子体处理中向ESC电极(120a、122a)供给不同电位的电力。

主权项

1.一种等离子体处理装置，在对于作为被处理体的基板进行设定的处理的处理室内，具备生成等离子体的等离子体生成装置，其特征在于，具备在由所述等离子体进行的所述基板的处理中，使存在于所述基板上方的区域内的颗粒在所述处理室内向所述基板上方的区域外静电地移动的颗粒移动装置。