电子器件用封装体及其制造方法

摘要

本发明的电子器件用封装体，包括具有放置电子器件P的凹部的壳体(1)和借助于熔接层(20)与所述壳体(1)熔接而密闭所述凹部的盖体(8)。所述壳体(1)具有层叠形成后露出于凹部开口面上的第1金属层(5)。所述盖体(8)具有在芯部(9)向着壳体一侧的表面上层叠形成的第2金属层(10)。所述熔接层(20)具有由焊接材料形成的焊接材料层(12A)、在焊接材料层的两侧所述焊接材料的主要成分向第1金属层(5)和第2金属层(10)中扩散而形成的第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)。在所述熔接层(20)的纵截面上，相对于所述熔接层(20)的面积，第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)的面积比为25～98％。该封装体即使曝露在高于焊接材料熔点的高温气氛中，也保持优异的气密性。

主权项

1.一种电子器件用封装体，它包括：具有放置电子器件的凹部的壳体；和借助于熔接层与所述壳体的凹部开口面熔接而密闭所述凹部的盖体，其中：所述壳体具有层叠形成后露出于所述凹部开口面上的第1金属层，所述盖体具有芯部和在该芯部向着壳体的一侧表面上层叠形成的第2金属层，所述熔接层具有由焊接材料形成的焊接材料层、在该焊接材料层的两侧由所述焊接材料的主要成分和第1金属层和第2金属层的主要成分扩散而形成的第1金属间化合物层和第2金属间化合物层，在所述熔接层的纵截面上，相对于所述熔接层的面积，第1金属间化合物层和第2金属间化合物层的面积比为25～98％。