半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，其系包含：在由半导体基板上的元件而形成之凹凸上，形成氧化防止层以防止水分进入元件之第1成膜步骤；在该氧化防止层上，于氧化环境中藉由热处理形成氧化而可膨胀之膨胀层之第2成膜步骤；在该膨胀层上，于氧化环境中藉由热处理形成可流动之绝缘膜之第3成膜步骤；以及使形成有氧化防止层、膨胀层以及绝缘膜之前述半导体基板在氧化环境中进行热处理，在使绝缘膜产生流动化的同时使膨胀层产生氧化膨胀，藉此消灭产生于绝缘膜中的气泡之膨胀步骤。