调整具有内表面制程反应室的方法以及调整具有内表面与气体分布板的化学气相沉积反应室的方法

摘要

本发明揭露一种用于调整制程反应室中的新方法，以在反应室中执行完半导体制造或其它制程后，大幅降低反应室中的特定残留的量；此调整方法包括提供调整膜于制程反应室的内表面上，且此调整膜常是在反应室的清洁之后提供，以在制程进行后，大幅地降低残留于反应室中的副产物的残留量。