金氧半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种金氧半导体(MOS)元件，其结构包括将闸极电极设于基底上，将源极／汲极设于闸极电极两侧之基底中，将应力缓冲衬层顺应性地配置于闸极电极两侧且部份延伸至基底表面，并将应力层设于闸极电极、应力缓冲衬层和源极／汲极上，且与应力缓冲衬层接触，藉以提高闸极电极下方基底中之通道区的应力。