| 摘要 |
本发明之发光装置系包含比电阻0.5Ω．cm以下之氮化物半导体基板(1)；在氮化物半导体基板之第1主表面侧之n型氮化物半导体层(3)；由氮化物半导体基板观之，位于较n型氮化物半导体层(3)更远之p型氮化物半导体层(5)；及位于n型氮化物半导体层(3)及p型氮化物半导体层(5)间之发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)及p型氮化物半导体层(5)之任何一方安装于放出光之顶侧，且将他方安装于底侧，位于该顶侧之电极由1个所构成。藉此，可获得小型化，且因构造简单而制造容易，可长期间稳定获得大发光效率之发光元件。 |
