发明名称 | 覆晶式发光二极体封装结构 | ||
摘要 | 一种覆晶式发光二极体封装结构包含一萧特基二极体群、一发光二极体及多个凸块,其中萧特基二极体群系包含多个萧特基二极体,且这些萧特基二极体系用串联、并联或串并联等方式电性联接。此些凸块系配置于一萧特基二极体与发光二极体之间,使得萧特基二极体群与发光二极体反向并联,而此发光二极体系以覆晶接合的方式配置于一萧特基二极体上。此覆晶式发光二极体封装结构可有效防止静电破坏,并可提高光取出效率,而且萧特基二极体的子基座为矽材质,其散热性良好,故可增加本覆晶式发光二极体封装结构的寿命。 | ||
申请公布号 | TW200532941 | 申请公布日期 | 2005.10.01 |
申请号 | TW093107618 | 申请日期 | 2004.03.22 |
申请人 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 许世昌;许进恭 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 台南县新市乡台南科学工业园区大顺九路16号 |