发光二极体

摘要

本发明系有关于一种发光二极体，尤指一种可适用于四元磊晶层之平面型发光二极体，其主要系在一半导体基板上首先形成一由第一材料层、发光层及第二材料层所组合而成之四元磊晶层，第二材料层上表面再固设一透光基板，且于去除半导体基板后，在第一材料层下表面分别凿设至少一可穿透第一材料层并延伸至第二材料层部分体积之隔离凹槽及第一延伸凹槽，第一延伸凹槽内设有一第一延伸电极，第一延伸电极又可与一设于第一材料层部分表面之第一电极电性连接，如此第一电极即可与另一形成于第一材料层其它部分表面之第二电极具有近似相同之水平位置，藉此不仅可方便后续制程之进行，又可因此增加PN界面之发光作用区域，致使得以提高发光亮度及使用寿命者。