| 摘要 |
一种形成金属内连线的方法。在形成扩散阻障层和种子层于介电层中之沟槽和贯孔之侧壁和底部之后，以第一ECP制程，在电流密度10mA／cm^2填入贯孔和部分沟槽。进行第一回火步骤以移除碳杂质，且亦可包括以电浆处理。第二ECP制程包括电流密度为401mA／cm^2之第一沉积步骤，和电流密度为601mA／cm^2之第二沉积步骤，以第二ECP程填满超过沟槽。之后，进行第二回火步骤且以CMP制程平坦化铜层。藉由此方法，可以减少铜之缺陷，达成低缺陷密度，及低杂质浓度，且提供具有低Rc之金属内连线以改进可靠度。 |
