发明名称 | 发光二极体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种发光二极体(Light–emitting Diode;LED)及其制造方法。此发光二极体至少包括:依序堆叠之金属基板、反射层、第一透明导电层、发光磊晶结构与第二透明导电层,以及电极位于部分之第二透明导电层上。其中,金属基板之厚度介于50微米(μm)至150μm之间。此外,上述之发光二极体更可包括支持基板与黏着层,其中黏着层位于支持基板与金属基板之间,并将支持基板接合于金属基板上。 | ||
申请公布号 | TW200532936 | 申请公布日期 | 2005.10.01 |
申请号 | TW093107175 | 申请日期 | 2004.03.17 |
申请人 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 许世昌;陈彦玮;陈纬守;张佳胜;罗信明;沈建赋 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 代理人 | 蔡坤财 | |
主权项 | |||
地址 | 台南县新市乡台南科学工业园区大顺九路16号 |