发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 一种发光二极体(Light–emitting Diode;LED)及其制造方法。此发光二极体至少包括:依序堆叠之金属基板、反射层、第一透明导电层、发光磊晶结构与第二透明导电层,以及电极位于部分之第二透明导电层上。其中,金属基板之厚度介于50微米(μm)至150μm之间。此外,上述之发光二极体更可包括支持基板与黏着层,其中黏着层位于支持基板与金属基板之间,并将支持基板接合于金属基板上。
申请公布号 TW200532936 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093107175 申请日期 2004.03.17
申请人 元砷光电科技股份有限公司 发明人 许世昌;陈彦玮;陈纬守;张佳胜;罗信明;沈建赋
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 台南县新市乡台南科学工业园区大顺九路16号