对于绝缘层上覆矽(SOI)元件改良的连线结构

摘要

一种半导体接触窗连线结构以及其形成的方法将在此揭露，此连线结构具有第一半导体元件形成于绝缘底材上，非导电性闸极内连线层形成于该绝缘底材上，以连接到第二半导体元件的闸极，以及形成在闸极内连线层和第一半导体元件的主动区上的矽化金属层，以形成一连线(connection)。